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激励功率依赖性
  石英振荡器的机械振动的振幅成比例地上升。功率与相应阻抗地关系为Pc=12q R1,高激励功率会导致共振地破坏或蒸镀电极的蒸发,最高允许的功率不应超过10mW。
  由于L1和C1电抗性的功率振荡,存在Qc =Q X Pc。若Pc=1mW,Q=100.000,Qc则相当于100W。
由于低的Pc功率会导致振荡幅度的超过,最终导致晶体的频率上移。
  随着晶体泛音次数的增加,对于激励功率的依赖性更加显著。精确的预期结果还要受到包括晶体设计和加工,机械性晶片参数,电极大小,点胶情况等的影响。
  可以看出,激励功率必需被谨慎的确定,以使晶体在生产和使用中保持良好的关系。
  当今,一个半导体振荡回路的激励功率一般为0.1mW,故在生产中使用中保持良好的关系。
一个品质良好的晶体可以容易起振,其频率在自1nW逐步增加时均能保持稳定。现在,晶体两端的功率很低的半导体回路也可以在很低的功率的情况下工作良好。
下图显示了一个激励功率有或无依赖性的晶体工作曲线的比较。
晶体存在蒸镀电极不良、晶体表面洁净度不足,都会存在如图所示的在低功率时出现高阻抗的情况,这一影响为激励功率依赖性(DLD)。通常生产中测试DLD是用1~10mW测试后再用1mW测试,发生的阻抗变化可作为测试的标准。很显然,在增加测试内容会相当大的提高生产的成本。
利用适当的测量仪器可以很快的进行DLD极限值的测定,但只能进行合格/不合格的测试。
提供具有充分的反馈和良好脉冲的最优化的振荡回路,可以极大的消除振荡的内部问题。